項目簡介

江西譽鴻錦材料科技有限公司位于江西省撫州高新區(qū)半導體科技園，是一家從事第三代化合物半導體外延生長、芯片制造、封裝測試的研發(fā)、生產與銷售一體的高科技創(chuàng)新性企業(yè)。該項目建設20臺MOCVD的氮化鎵外延片生產線、一條芯片中試生產線和一條封裝測試線，可形成月產能5萬片外延片，對應約5億顆芯片的生產能力。

該項目涉及的危險化學品有：三甲基鋁、氨、氫氣、氮氣（壓縮或液化的）、氬氣（壓縮或液化的）、氦氣（壓縮或液化的）、氧氣（壓縮或液化的）、丙酮、一氧化二氮、六氟化硫、三氟甲烷、四氟化碳、氯氣、硅烷、二氯硅烷、三氯化硼、雙氧水、酒精、醋酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸、氨水、氫氧化鈉等；其中氨氣、氫氣、氯氣、氫氟酸為重點監(jiān)管的危險化學品。本項目不涉及危險化工工藝。

評價人員

職責

姓名

職業(yè)資格證書編號

從業(yè)登記

編號

項目負責人

聶潤蓀

1100000000201786

014606

項目組成員

聶潤蓀

1100000000201786

014606

徐志平

S011032000110203000975

040952

劉良將

S011032000110203000723

040951

羅明

1600000000300941

039726

報告編制人

聶潤蓀

1100000000201786

014606

報告審核人

王東平

S011035000110202001266

040978

過程控制負責人

劉求學

S011044000110192002758

036807

技術負責人

邱國強

S011035000110201000597

022186

評價結論

江西譽鴻錦材料科技有限公司氮化鎵（GaN）外延、芯片、封裝生產項目（一期）在以后的初步設計、施工圖設計和建設施工、安裝調試及生產運行中，如能嚴格執(zhí)行國家有關安全生產法律、法規(guī)和有關標準、規(guī)范，認真落實該建設工程可行性研究報告提出的安全措施，并采納本報告書中提出的安全對策措施及建議，真正做到安全設施與主體工程同時設計、同時施工、同時投入生產和使用，工程的危險、有害因素可以得到有效控制，工程的安全運行可以得到保障。項目建成后,整個建設工程可以滿足安全生產條件。

現場工作時間

2021.12

報告提交時間

2022.5.30

現場參加人員

企業(yè)、聶潤蓀、羅明

現場照片